RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3803
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link