RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3482
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link