RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
30
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3216
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link