RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
3136
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link