RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3568
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link