RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2675
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link