RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2888
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link