RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
1979
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link