RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2046
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link