RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2675
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link