RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3753
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link