RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2968
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link