RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2815
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link