RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2290
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link