RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
44
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
44
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2022
2204
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link