RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3023
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link