Porównanie pamięci RAM Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

35 37

Wokół strony 5% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16 12.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.6 7.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1570 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns