RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
63
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2701
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link