RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
68
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
3125
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link