RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2588
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link