RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3052
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link