RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
50
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2847
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link