RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3914
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link