RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3873
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link