RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
50
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3310
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link