RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
4156
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link