RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
50
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3929
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link