RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
64
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2205
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link