RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
64
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2103
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link