RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
83
87
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
83
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1752
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link