RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
96
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2326
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link