RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
96
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3029
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link