RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
94
Por volta de -276% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
25
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3668
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link