RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
94
Por volta de -224% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
29
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
14.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3434
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link