RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
73
Por volta de -232% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
22
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
3038
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link