RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3313
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link