RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
31
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
22
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
3075
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link