RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
75
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
75
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
7.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2729
1763
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link