RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
14.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
22
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.5
9.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3679
2611
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link