RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
52
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
15.7
7.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3867
2306
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link