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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2619
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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