RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
62
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
6400
Por volta de 2.63 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
16800
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2318
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link