RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link