RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
98
Por volta de 76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
98
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link