RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
3701
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link