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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Comparar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2222
3546
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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