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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
2880
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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