RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
92
Por volta de -441% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
17
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
17.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3702
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link