RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
92
Por volta de -300% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3327
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link