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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,636.8
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
68
Por volta de -113% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,540.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,636.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
827
2528
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
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